Crean un chip de 5 nanómetros con 30.000 millones de transistores

05/06/2017

Este hito ha sido alcanzado dos años después de que estos desarrolladores fuesen capaces de crear un chip de prueba de 7 nm con 20.000 millones de transistores. Según ha avanzado IBM a través de su página web, este proceso será presentado en el Simposio de Tecnología VLSI y Circuitos que se celebrará en Kioto (Japón), del 5 al 9 de junio.

La tecnológica estadounidense IBM, sus socios Globalpartners y la surcoreana Samsung han desarrollado un proceso pionero de elaboración industrial de transistores de silicio capaces de encajar en un chip de 5 nanómetros que tendrá capacidad para 30.000 millones.

Este hito ha sido alcanzado dos años después de que estos desarrolladores fuesen capaces de crear un chip de prueba de 7 nm con 20.000 millones de transistores. Según ha avanzado IBM a través de su página web, este proceso será presentado en el Simposio de Tecnología VLSI y Circuitos que se celebrará en Kioto (Japón), del 5 al 9 de junio.

Comparada con la tecnología de 10 nanómetros que lidera el mercado, un chip de 5 nm basado en semiconductores 'nanosheet' es capaz de ofrecer un 40% más de rendimiento y un ahorro de un 75% de energía, como destacan las compañías.

Esta mejora en el rendimiento de los chips permitirá reforzar tecnologías como la inteligencia artificial cognitiva, el Internet de las Cosas o las aplicaciones en la nube. Asimismo, esta innovación podría suponer un mayor ahorro energético por parte de las baterías de los dispositivos móviles, cuyas cargas durarían dos o tres veces más.

Los científicos obtuvieron estos nuevos chips de 5 nm mediante el empleo de 'nanosheets' de silicio como estructura del transistor, en lugar de emplear la arquitectura FinFET, estandarizada en la industria de semiconductores hasta la tecnología de nodo de 7 nm.

IBM lleva más de diez años investigando la tecnología de semiconductores 'nanosheet'. De nuevo, se han basado en la litografía de ultravioletas extremos (EUV) que ya sirvió para producir el chip de 7 nm y sus 20.000 transistores.

A través de esta litografía, la anchura de los semiconductores 'nanosheet' puede ser ajustada en todo momento, lo que garantiza una mayor adaptación de su rendimiento y energía para circuitos específicos, algo que no es posible a día de hoy con la producción a base de la arquitectura FinFET.